特許

J-GLOBAL ID：200903020113939091

半導体装置及びその製造方法

発明者： 林 哲也 ,  星 正勝 ,  下井田 良雄 ,  田中 秀明 ,  山上 滋春
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-066492
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243062
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】ヘテロ接合を有する半導体装置におけるオン抵抗の低減を図ることを課題とする。【解決手段】ドレイン領域2とヘテロ半導体領域3とゲート絶縁膜4とが接する3重点aとゲート電極5との距離が最短となるゲート電極最短点bからゲート絶縁膜4とドレイン領域2との接合面に下ろした垂線が接合面と接する接触点cと、3重点aとの距離が、ゲート絶縁膜4の厚みよりも小さくなるように構成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基体と、 前記半導体基体の一主面に接して前記半導体基体とヘテロ接合を形成するヘテロ半導体領域と、 前記ヘテロ半導体領域と前記半導体基体との接合端部に隣接してゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、 前記ヘテロ半導体領域に接続されたソース電極と、 前記半導体基体に接続されたドレイン電極と を有する半導体装置において、 前記接合端部と前記ゲート電極との距離が最短となるゲート電極最短点から前記ゲート絶縁膜と前記半導体基体との接合面に下ろした垂線が前記接合面と接する接触点と、前記接合端部との距離が、前記半導体基体に接する前記ゲート絶縁膜の厚みよりも小さい ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652D

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-125412   出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-065468   出願人：日産自動車株式会社