シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-132686
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283587
出願日： 2008年05月21日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】生産性を向上させることができるシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。【解決手段】まず、半導体ウエハWを反応管2内にロードし、反応管2内を700°Cに設定する。また、反応管2内のガスを排出し、反応管2を40Paに減圧する。次に、処理ガス導入管17からジクロロシランを供給するとともに、イソプロピルアミンとを供給する。反応管2内にジクロロシランおよびイソプロピルアミンが導入されると、これらが反応管2内で加熱される。これにより、半導体ウエハWの表面にシリコン炭窒化膜が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内に珪素ソースとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L21/318 B , C23C16/42

Fターム (19件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030BA41 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BD10 , 5F058BD13 , 5F058BF06 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (5件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-073145 出願人：株式会社日立国際電気
特開昭52-103595
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-317456 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (5件)

特開昭52-103595
特開昭52-103595
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-317456 出願人：富士通株式会社

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