特許

J-GLOBAL ID：200903020151634512

二端子サイリスタ

発明者： 冨田 昌明
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-237564
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051591
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 サージ耐量を向上させた二端子サイリスタを実現する。【解決手段】 p型の半導体基板1の主面側に形成されたn型の第一の半導体領域2と、第一の半導体領域2内に形成されたp型の第二の半導体領域3と、第二の半導体領域3に囲まれた第一の短絡領域4と、反対の第二の主面側で第二の半導体領域3と対向する位置に形成されたn型の第三の半導体領域5と、第三の半導体領域5に囲まれた第二の短絡領域8からなる二端子サイリスタにおいて、各半導体領域と短絡領域の平面形状は5辺以上からなる多角形、楕円、長円或は円形とすることにより二端子サイリスタのサージ耐量を向上させる。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の第一の主面側に形成された第一導電型とは逆の第二導電型の第一の半導体領域と、前記第一の主面側より前記第一の半導体領域内に形成された第一導電型の第二の半導体領域と、前記第二の半導体領域に囲まれて前記第一の主面から前記第一の半導体領域に延びる第一の短絡領域と、前記半導体基板の前記第一の主面と反対の第二の主面側で前記第二の半導体領域と対向する位置に形成された第二導電型の第三の半導体領域と、前記第三の半導体領域に囲まれ前記第二の主面側から半導体基板に延びる第二の短絡領域と、前記第一の主面側に形成された前記第二の半導体領域と、前記第一の短絡領域に接続する前記第一の主面上の第一の電極と前記第二の主面側に形成された前記第三の半導体領域と前記第二の短絡領域に接続する前記第二の主面上の第二の電極を備える二端子サイリスタにおいて、前記第一の半導体領域、前記第二の半導体領域、前記第三の半導体領域、前記第一の短絡領域及び前記第二の短絡領域の前記第一の主面或は前記第二の主面から見た平面形状が5辺以上からなる多角形、楕円、長円或は円形であることを特徴とする二端子サイリスタ。

FI (2件)：

H01L 29/74 W ,  H01L 29/74 J

Fターム (6件)：

5F005AB01 ,  5F005AH01 ,  5F005BA03 ,  5F005CA00 ,  5F005GA01 ,  5F005GA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 2端子サージ防護素子及び多線防護方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023382   出願人：新電元工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-017969   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 特開昭55-148455
  
• 特開昭55-148455