特許
J-GLOBAL ID:200903020248089039
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 幸久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-359905
公開番号(公開出願番号):特開2003-160612
出願日: 2001年11月26日
公開日(公表日): 2003年06月03日
要約:
【要約】【課題】 耐エッチング性に優れ、微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 少なくとも1種のビニルエーテル化合物、又は少なくとも1種のビニルエーテル化合物と他の重合性化合物とを単独又は共重合することにより得られるフォトレジスト用高分子化合物。前記ビニルエーテル化合物の少なくとも1種は脂環式炭化水素構造を有するのが好ましい。脂環式炭化水素構造には、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、イソボルナン環、トリシクロデカン環、テトラシクロドデカン環などが含まれる。脂環式炭化水素構造は、例えば、ヒドロキシル基、オキソ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基又はラクトン環式基などの極性官能基で置換されていてもよい。
請求項(抜粋):
少なくとも1種のビニルエーテル化合物、又は少なくとも1種のビニルエーテル化合物と他の重合性化合物とを単独又は共重合することにより得られるフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (4件):
C08F 16/14
, G03F 7/033
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (4件):
C08F 16/14
, G03F 7/033
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Fターム (26件):
2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AD07P
, 4J100BA11P
, 4J100BC03P
, 4J100BC09P
, 4J100BC12P
, 4J100BC53P
, 4J100BC55P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100JA37
引用特許:
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