半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261720
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156421
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】半導体回路部の電界効果トランジスタのゲート長が、保護回路部のバイポーラトランジスタのベース幅の制約を受けない構造の半導体装置を提供すること。【解決手段】 n+型ドレイン領域26aとn+型不純物領域12bはフィールド酸化層18bにより分離されている。n+型ドレイン領域26aは、n型ウェル14およびn+型不純物領域12bを介して配線層36bに接続される。保護回路部100はツェナーダイオード8を有するので、寄生ダイオード38がアバランシェブレークダウンする前に、ツェナーダイオード8をツェナーブレークダウンさせることができる。これにより、静電気などのサージによる電流をMOSトランジスタ4に流さず、バイポーラトランジスタ2に流し、MOSトランジスタ4の静電破壊を防いでいる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された半導体回路部と、前記半導体基板に形成され、前記半導体回路部のサージ破壊を防止するための保護回路部と、を備えた半導体装置であって、前記半導体回路部は、電界効果トランジスタを含み、前記電界効果トランジスタは、チャネル領域が形成される第1導電型の第1領域と、第2導電型の第1および第2のソース/ドレイン領域と、を有し、前記保護回路部は、バイポーラトランジスタ、ツェナーダイオード、素子分離絶縁層および第2導電型の接続領域を含み、前記バイポーラトランジスタは、第2導電型の第2領域、第1導電型の第3領域および第2導電型の第4領域を有し、前記第2領域には、配線層が電気的に接続され、前記ツェナーダイオードは、前記第2領域および第1導電型の第5領域を有し、前記素子分離絶縁層は、前記第2領域と前記第1のソース/ドレイン領域を分離し、前記接続領域は、前記第2領域と前記第1のソース/ドレイン領域を電気的に接続する、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (7件)

静電放電回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-024280 出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
特開昭61-285749
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-216551 出願人：日本電気株式会社

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