特許

J-GLOBAL ID：200903077777719210

薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置

発明者： 下田 達也 ,  井上 聡 ,  宮沢 和加雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125931
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的の一つは、薄膜素子の製造時に使用する基板と、例えば製品の実使用時に使用する基板(製品の用途からみて好ましい性質をもった基板)とを、独立に自由に選択することを可能とする新規な技術を提供することである。【解決手段】 信頼性が高く、かつレーザー光が透過可能な基板(100)上に分離層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜素子(140)を形成する。基板側からレーザー光を照射し、これによって分離層において剥離を生じせしめる。その薄膜素子を接着層(160)を介して転写体(180)に接合し、基板(100)を離脱させる。これにより、どのような基板にでも所望の薄膜デバイスを転写できる。

請求項（抜粋）：

基板上の薄膜素子を転写体に転写する方法であって、前記基板上に分離層を形成する工程と、前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、前記薄膜素子を含む被転写層を接着層を介して前記転写体に接合する工程と、前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生じせしめる工程と、前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/268

FI (5件)：

H01L 29/78 627 Z ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特表平6-504139
  
• 特開昭63-101832
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-092080   出願人：三菱電機株式会社
• アクティブ・マトリックス型液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-329622   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Laser beam application to thin film transistors