特許
J-GLOBAL ID：200903020342546982

半導体装置

発明者：
麻埜 和則

麻埜 和則 について

, 
石倉 幸治

石倉 幸治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267750
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087367
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】半導体トランジスタの発熱領域内の温度分布を均一化し、領域内の局所的な高温部位からの熱劣化を防ぐ半導体装置の提供。【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電界効果型トランジスタ単位フィンガーを並列に並べて構成された半導体装置において、前記各電極フィンガーに垂直な方向に並列に複数本形成され、且つ、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続した放熱用ストライプ電極を有し、前記放熱用ストライプ電極の間隔がゲート電極フィンガー中心部で狭く、端部に向かうほど広く形成される。そして、ドレイン電極またはソース電極の幅が、能動領域中央部で最も幅広となるように形成される。
請求項（抜粋）：
ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電界効果型トランジスタ単位フィンガーを並列に並べて構成された半導体装置において、前記ドレイン電極及び前記ソースの電極の幅がフィンガー中央部で広く、端部で細くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/58 ,  H01L 23/34 ,  H01L 29/41
FI (4件)：
H01L 29/80 L ,  H01L 21/58 ,  H01L 23/34 A ,  H01L 29/44 F
引用特許：
審査官引用 (2件)

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