特許
J-GLOBAL ID:200903020343921930

画素センサ回路デバイス及びその方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 桑垣 衛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-524585
公開番号(公開出願番号):特表2006-516324
出願日: 2003年07月11日
公開日(公表日): 2006年06月29日
要約:
本明細書において、距離測定デバイス及び光センサ回路が開示されている。LED(140)が物体(190)を照射するように光源からパルスを発生させること、かつ物体により反射された光の位相と光源の本来の位相との間の位相差を測定することによって、物体までの距離が測定され得る。位相差を測定するために、CMOS光センサ又は光センサアレイ(120)が、反射光を受信し、異なる期間の間に生成された電荷を異なる蓄積ノード、即ち、画素セル(202,204)に蓄積するのに使用され得る。異なる蓄積ノードに蓄積された電荷量の間の差を、物体を照射する本来の光と物体による反射光との間の位相差を決定するために使用することが可能である。次いで、この位相差を物体までの距離の決定に使用することが可能である。
請求項(抜粋):
回路であって、 入射光に応答して電荷を生成するCMOSに適合した光検出器と、 前記光検出器により生成された電荷を蓄積するための複数の蓄積ノードと、 前記光検出器から前記複数の蓄積ノードに電荷を伝送するための複数の制御トランジスタと、 を備える回路。
IPC (2件):
G01S 17/36 ,  H01L 27/146
FI (2件):
G01S17/36 ,  H01L27/14 A
Fターム (13件):
4M118AB03 ,  4M118BA14 ,  4M118CA01 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  5J084AA05 ,  5J084AD02 ,  5J084BA32 ,  5J084BA38 ,  5J084CA02 ,  5J084CA24 ,  5J084CA52 ,  5J084EA31
引用特許:
審査官引用 (6件)
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