特許

J-GLOBAL ID：200903020357327020

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者： 奥山 浩之 ,  土居 正人 ,  琵琶 剛志 ,  大畑 豊治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381249
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185040
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 工程数も増加させずに貫通転位などの結晶欠陥を低減できる半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板10の主面上にウルツ鉱型の化合物半導体層11をその表面に段差14を有するように形成し、段差14を含んだ化合物半導体層11の表面に結晶成長によって基板10の主面に対して傾斜した傾斜面16を有するファセット構造を有する結晶成長層15を形成してから、傾斜面16に平行に延在される領域に第1導電型クラッド層、活性層、および第2導電型クラッド層を形成する。

請求項（抜粋）：

ウルツ鉱型化合物半導体層の表面に段差を形成し、結晶成長によって前記表面上に傾斜面を有する結晶成長層を形成し、前記傾斜面に略平行に第1導電型クラッド層、活性層、および第2導電型クラッド層を形成してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

Fターム (35件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA75 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-061968   出願人：新日本製鐵株式会社
• スーパールミネッセントダイオード素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-320336   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社