低比誘電性高分子膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-287740
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106506
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】簡易な工程で安定した特性を有し、特に半導体装置の層間絶縁膜に適用しうる低比誘電性高分子膜の形成方法を提供する。【解決手段】蒸着重合法によって基板上にポリイミド膜を形成する際、基板を30°C以上の温度に加熱保持する。ポリイミド膜を形成するための原料モノマーとしては、例えば、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフロロプロパンと、2,2-ビス(3,4フェニルカルボキシル)-ヘキサフロロプロパン二無水物を用いる。本発明によれば、ポリイミド膜の密度が1.4g/cm3以下になり、その結果、比誘電率が2.6〜2.7のポリイミド膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：