特許
J-GLOBAL ID:200903020437959303

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高村 順
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-224030
公開番号(公開出願番号):特開2009-130352
出願日: 2008年09月01日
公開日(公表日): 2009年06月11日
要約:
【課題】高い光電変換効率を実現する太陽電池を提供すること。【解決手段】基板と、上記基板上に形成され、n型半導体及びp型半導体の接合構造である複数のナノワイヤ構造体を有するエネルギー吸収層及び夫々上記n型半導体及びp型半導体と電気的に連結されるように形成されたn型電極及びp型電極を含む太陽電池を提供する。ナノワイヤ構造体を採用することで、太陽スペクトラムの略全範囲に該当する光を吸収することができ、エピタキシャル成長工程を代替することができるため、結晶欠陥のようなエピタキシャル層の不利益な問題も解決することができる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板上に形成され、n型半導体及びp型半導体の接合構造である複数のナノワイヤ構造体を有するエネルギー吸収層と、 前記n型半導体及びp型半導体の夫々と電気的に連結されるように形成されたn型電極及びp型電極と、 を含む太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 E
Fターム (9件):
5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051AA09 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02
引用特許:
審査官引用 (4件)
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