特許
J-GLOBAL ID:200903042514926247

複合光電変換素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-013802
公開番号(公開出願番号):特開2007-194557
出願日: 2006年01月23日
公開日(公表日): 2007年08月02日
要約:
【課題】高い変換効率及びキャリアの輸送効率を示し、低コストで製造可能な複合光電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基体と、この基体上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成されたナノカーボン材料を含むn型半導体層と、このn型半導体層上に形成された有機化合物を含むp型有機半導体層と、このp型有機半導体層上に形成された第2の電極とを具備し、前記n型半導体層及びp型有機半導体層の少なくともいずれか一方が印刷法により形成されてなることを特徴とする複合光電変換素子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基体と、この基体上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成されたナノカーボン材料を含むn型半導体層と、このn型半導体層上に形成されたp型有機半導体層と、このp型有機半導体層上に形成された第2の電極とを具備し、前記n型半導体層及びp型有機半導体層の少なくともいずれか一方が印刷法により形成されてなることを特徴とする複合光電変換素子。
IPC (1件):
H01L 51/42
FI (1件):
H01L31/04 D
Fターム (8件):
5F051AA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051DA03 ,  5F051DA07 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
引用特許:
審査官引用 (13件)
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