窒化シリコン膜を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-255635
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153718
出願日： 1995年09月06日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【課題】紫外線透過性と低膜内応力を維持しつつ被覆性の良い SiN膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiN膜を形成するプラズマCVD反応槽中の反応ガスの成分のうち、シラン(SiH4)ガスとアンモニア(NH3) ガスの割合が増大すると、反応に関与するガスの反応性が高まり、シラン(SiH4)が多数連鎖状に連なる程度に水素原子が結合した状態でプラズマ化され、成膜前駆体として分子量が大きくなって基板上に堆積し、段差を容易に埋める。その際、結晶粒界の平均面積、窒素(N2)ガスに対するシラン(SiH4)ガス+アンモニア(NH3) ガスの比を規定して段差被覆率を高め、紫外線透過性の特性を持たせるために、シラン(SiH4)/アンモニア(NH3) の比を規定し、さらに膜生成時のRFパワー密度を規定して低膜応力をも兼ね備える SiN膜を形成する。

請求項（抜粋）：

紫外線照射を必要とする素子を覆う窒化シリコン膜(SiXNYHZ)であって、この窒化シリコン膜の光学的吸収端波長が254nm よりも短く、この窒化シリコン膜表面に現れる結晶状粒界に囲まれた領域の平均面積が4.5 ×104nm2以上であることを特徴とする窒化シリコン膜を有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

装置保護膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-338849 出願人：日本電装株式会社
特開平3-129734
特開昭57-177555

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