特許
J-GLOBAL ID：200903020510361993
張り合わせSOI基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307719
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145436
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 デバイスへの悪影響を低減して歩留まりを向上することができる張り合わせSOI基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の単結晶シリコン基板、例えば、水素アニール基板、イントリンシックゲッタリング基板又はエピタキシャル基板の表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の表面から水素注入を行うことにより、第1の単結晶シリコン基板中に水素注入領域を形成する。そして、400乃至500°Cの熱処理を施すことにより、水素注入領域にボイドを形成してそこから第1の単結晶シリコン基板を劈開する。次に、絶縁膜の表面と第2の単結晶シリコン基板の表面とを張り合わせた後、1000°C以上の温度で熱処理する。
請求項（抜粋）：
第1の単結晶シリコン基板と、第2の単結晶シリコン基板とを絶縁膜を間に挟んで張り合わせて構成された張り合わせSOI基板において、前記第1の単結晶シリコン基板は、水素アニール基板、イントリンシックゲッタリング基板及びエピタキシャル基板からなる群から選択された1種の基板からなることを特徴とする張り合わせSOI基板。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/322
, H01L 21/762
H01L 27/12 B
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/76 D
