特許
J-GLOBAL ID：200903020515988951

電界効果トランジスタ

発明者：
古賀 淳二

古賀 淳二 について

, 
高木 信一

高木 信一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-306717
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079277
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 チャネル部の改良によって、ソース・ドレインのショットキー障壁を低くして駆動力の向上をはかる。【解決手段】 絶縁層11上に格子緩和SiGe層12と歪みSi層13を積層した半導体層と、歪みSi層13上にゲート絶縁膜14を介して形成されたゲート電極15と、絶縁層11上に半導体層のゲート電極直下のチャネル領域を挟むように形成されたソース・ドレイン16,17とを備えた電界効果トランジスタであって、ソース・ドレイン16,17は、半導体層のゲート直下の部分から絶縁層11に至る部分まで、半導体層に対してショットキー接合を成している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁層上に形成された、少なくとも表面部に格子歪みを有する半導体層と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体層のゲート電極直下のチャネル領域を挟むように前記絶縁層上に形成されたソース・ドレインとを具備した電界効果トランジスタであって、 前記ソース・ドレインの少なくとも一方は、前記半導体層の前記ゲート直下の部分から前記絶縁層に至る部分まで、前記半導体層に対してショットキー接合を成していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872
FI (14件)：
H01L29/78 616S ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/50 M
Fターム (100件)：
4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH17 ,  5F048AA08 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BC15 ,  5F048BD09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F110AA02 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG11 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK40 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG31 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ30
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-312410   出願人：富士通株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-226330   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-283397   出願人：株式会社東芝

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