薄膜トランジスタ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山谷晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043748
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241997
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】良好な五極管特性を有する薄膜トランジスタを提供すること。【構成】活性層5を備えた薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極7と、このゲート電極7よりもソース領域とドレイン領域方向に短いボトムゲート電極3を、前記活性層5に対して前記ゲート電極7と反対側に配置する。

請求項（抜粋）：

活性層を備えた薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極と、このゲート電極よりもソース領域とドレイン領域方向に短いボトムゲート電極を、前記活性層に対して前記ゲート電極と反対側に配置したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-170292 出願人：富士通株式会社
特開平4-181779
特開昭64-059864

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