特許
J-GLOBAL ID：200903020541888752

電界効果型半導体装置

発明者：
櫛田 知義

櫛田 知義 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 英彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190621
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102538
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【課題】 電界効果型半導体装置のオン抵抗を低減すること。【解決手段】 表面に凹部12aが形成された、ドレインとなる一導電型半導体領域11、12と、その一導電型半導体領域11、12の表面において、前記凹部12aから所定距離離れた領域に形成された他導電型半導体領域13と、該他導電型半導体領域13内に形成された、ソースとなる一導電型半導体領域14と、絶縁層15を介した状態で、前記他導電型半導体領域13の表面を皮膜し、前記凹部12aに達するゲート電極16とを有する電界効果型半導体装置。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体ソース領域と、一導電型半導体ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間に設けられた他導電型半導体領域と、前記他導電型半導体領域に絶縁層を介して隣接するように設けられたゲート電極を備えた電界効果型半導体装置において、前記ゲート電極のうち前記ドレイン領域側部分が前記ゲート電極のうち前記ドレイン領域側部分以外の部分よりも導電率が低いことを特徴とする電界効果型半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 653 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM