半導体加速度スイッチ、半導体加速度スイッチの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230777
公開番号（公開出願番号）：特開2000-065855
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】検出する加速度の閾値に応じて設計を変更しなければならないといった手間がかかるばかりか加速度スイッチの汎用性が低いという問題があった。【解決手段】第1の制御電極6と、可動部本体3に形成した電極11との間に電圧を与えることにより、可動部本体3に静電引力を与え、所定の方向かつ所定の大きさの加速度が作用したとき、可動部本体3が変位するように構成したものである。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板上に固定された第1の制御電極を有する固定部と、前記支持基板上に固定された支持部、および前記支持部に支持され、作用する加速度に応じてその位置が変位するとともに、その一部に電極を形成した可動部本体を有する可動部とを備えたものであって、前記第1の制御電極と、前記可動部本体に形成した電極との間に電圧を与えることにより、前記可動部本体に静電引力を与え、所定の方向かつ所定の大きさの加速度が作用したとき、前記可動部本体が変位するように構成したことを特徴とする半導体加速度スイッチ。

IPC (2件)：

G01P 15/135 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/135 , H01L 29/84 Z

Fターム (12件)：

4M112AA02 , 4M112AA07 , 4M112BA07 , 4M112CA23 , 4M112CA26 , 4M112CA31 , 4M112CA36 , 4M112DA02 , 4M112DA05 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA06

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-115165
特開平4-315477
超小形機械的構造の電子スイツチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-233525 出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

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