特許
J-GLOBAL ID：200903020559991330
CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057065
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253862
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】CVD成膜の際にプラズマ負荷とプラズマ発生用電極負荷を含めた装置負荷に消費される高周波電力を電源周波数に係わらず一定かつ最大ならしめるCVD装置を提供する。【構成】プラズマ発生用電極を兼ね備えたCVD成膜装置において、プラズマ発生用電極に連結された電極導入軸および同軸円筒型アースシールドの長さを可変できる構造とし、電極導入軸及び同軸円筒型アースシールドの長さを可変することは、電気的にはそれぞれ高周波インダクタンス及びキャパシタンスを変化させることになる。前記高周波インダクタンス及びキャパシタンスはプラズマ負荷とともに直列共振回路を形成しているため、装置負荷にかかる高周波電圧と電流との位相差を調整でき、装置負荷における正味の消費電力を電源周波数に係わらず一定かつ最大にすることができる。
請求項（抜粋）：
プラズマ負荷とプラズマ発生用電極(以下電極と呼ぶ)負荷を含む装置負荷に対して所定の周波数内で連続的に選択可能な高周波を供給して成膜を行うプラズマCVD装置(以下単にCVD装置と呼ぶ)であって、該電極の静電容量と誘導係数が可変の構造を有することを特徴とするCVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (5件)
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特開昭54-134089
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プラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-074030
出願人：キヤノン株式会社
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特開平1-233730
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