特許
J-GLOBAL ID：200903020567310414
III-V族化合物半導体の加工方法及びIII-V族化合物半導体レーザの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
福田 武通 (外3名)
, 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044418
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242582
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 Al組成が含まれているIII-V族化合物半導体にあっても垂直な端面を形成する。【解決手段】 主面を有するIII-V族化合物半導体の出発構造体20の上に、平面的に見て最終的に切り出すべき構造体である半導体レーザ40の平面形状に整合し、垂直な端面43を形成すべき位置に沿って [0-1-1]方向に直交する縁を有するエッチングマスク層30を形成した後、塩化アルキルガスをエッチングガスとして出発構造体20の気相エッチングを行う。
請求項（抜粋）：
主面を有するIII-V族化合物半導体の該主面に対し垂直な端面を持つことを要する構造体を作製するに際し、当該垂直な端面を形成するために該III-V族化合物半導体を加工する方法であって;平面的に見て上記構造体の平面形状に整合する形状を有し、上記垂直な端面を形成すべき位置に沿って [0-1-1]方向に直交する縁を有するエッチングマスク層を上記III-V族化合物半導体上に形成した後;塩化アルキルガスをエッチングガスとして気相エッチングを行うこと;を特徴とするIII-V族化合物半導体の加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/302 P
