特許
J-GLOBAL ID：200903020596298156
発光半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161877
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012921
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 少ない消費電力で大きな輝度を得ることが可能な、光の取り出し効率が良好となる発光半導体素子を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、基板と、この基板上にP型とN型の半導体層に挟まれるように形成された発光層と、前記半導体層上に形成された第1導電層と、この第1導電層上に形成された略透明の第2導電層と、この第2導電層上に形成された電極層と、を備えた発光半導体素子を提供する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上にP型とN型の半導体層に挟まれるように形成された発光層と、前記半導体層上に形成された第1導電層と、この第1導電層上に形成された略透明の第2導電層と、この第2導電層上に形成された電極層と、を備えた発光半導体素子。
引用特許：
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