半導体装置における配線修正方法及びその装置並びに半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276866
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139099
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】超微細化、多層化された半導体装置上で直接、配線を修正する際に、高速にかつデバイスの性能を損なうことなく高歩留まりに修正する配線修正方法およびその装置並びに半導体装置を提供する。【構成】約幅が1μmのAl配線の切断、底の寸法が1.5μm×1.5μm以下で、深さが3.5μm以上の接続穴13、14の形成にエッチングガスの雰囲気で集束イオンビーム12を照射する集束イオンビーム・アシスト・エッチングを用い、該接続穴13、14にFIBCVDでW等の薄膜21、22を形成してAl配線と接続し、更に該W等の薄膜21、22の上にレーザCVDでMo等の金属を析出させ、これらMo等の金属間をレーザCVDでMo等の付加配線を形成して半導体装置において配線修正を行なうものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置内の切断しようとする配線の所望個所を位置決めし、該位置決めされた配線の所望個所を少なくともエッチングガス雰囲気にして該配線の所望個所に集束されたイオンビームを照射走査して集束イオンビーム・アシスト・エッチングにより前記配線の上層の絶縁層に切断用の穴加工を施し、更に集束されたイオンビームを照射走査してその下の配線を切断する配線切断修正工程を備え、半導体装置上に付加配線を施そうとする接続個所である配線の所望個所を位置決めし、該位置決めされた配線の所望個所を少なくともエッチングガス雰囲気にして該配線の所望個所に集束されたイオンビームを照射走査して集束イオンビーム・アシスト・エッチングにより前記配線の上層の絶縁層に接続用の穴加工を施して前記配線を露出する接続用の穴加工工程と、該接続用の穴加工工程で配線が露出した接続用の穴を位置決めし、該位置決めされた接続用の穴部に付加配線形成用のCVDガスを供給して、集束されたエネルギビームを照射走査して接続用の穴の内部へ導電物質を析出させて露出した配線と接続し、更に前記接続用の穴に接続された半導体装置上の所望の経路に沿って付加配線形成用のCVDガスを供給して、集束されたエネルギビームを照射走査して前記導電物質と接続された付加配線を形成する付加配線形成工程とを有する接続配線修正工程を備えたことを特徴とする半導体装置における配線修正方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/82 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 C , H01L 21/82 W , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-077323
半導体装置の配線修正方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-039201 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-186831

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