人工アモルファス半導体および太陽電池への適用

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-509832
公開番号（公開出願番号）：特表2007-535806
出願日： 2005年04月29日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

人工アモルファス半導体材料、およびその材料から作られた接合部は、誘電体材料のマトリクスまたは誘電体材料の薄層(21、22)を介して3次元的に十分均一に分布されかつ均一に隔てられた複数の結晶質半導体材料量子ドット(23)を持つ。この材料は、半導体材料の化合物を有する誘電体材料の複数の層を最初に形成し、化学量論的誘電体材料(21)の層と半導体富裕誘電体材料(22)の層のそれぞれの交互層を形成することによって形成される。次にこの材料は加熱され、量子ドット(23)が、誘電体材料を介して3次元的に均一に分布されかつ均一に隔てられた状態で、誘電体材料の半導体富裕層内に形成される。この材料のバンドギャップと移動度は、量子ドットの大きさ、マトリックスの組成、および量子ドットの半導体材料、を含む材料パラメータを、好ましいパラメータが得られるように選ぶことによって、決定される。

請求項（抜粋）：

制御されたバンドギャップと移動度を持ち、誘電体材料のマトリクスまたは誘電体材料の薄層を介して3次元的に十分均一に分布されかつ規則的に隔てられた複数の結晶質半導体材料量子ドットを有する人工アモルファス半導体材料であって、前記材料のバンドギャップと移動度が、量子ドットの大きさ、マトリックスの組成、および量子ドットの半導体材料、を含む材料パラメータを選ぶことによって、決定されることを特徴とする人工アモルファス半導体材料。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 B

Fターム (10件)：

5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA04 , 5F051CA15 , 5F051CA32 , 5F051DA03 , 5F051DA13 , 5F051DA17 , 5F051GA03 , 5F051GA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

オーストラリア特許仮出願第2004902299号明細書

審査官引用 (2件)

発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-120375 出願人：三菱マテリアル株式会社
太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-334752 出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

Formation of silicon nano-dots in luminescent silicon nitride
Si/SiNx系の紫外線励起による白色発光
Formation of silicon nano-dots in luminescent silicon nitride

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