特許
J-GLOBAL ID：200903079384984020
発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-120375
公開番号（公開出願番号）：特開平11-310776
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に直接作製することができ、発光効率が高く、発光波長の制御が可能で発光減衰速度の速い発光材料及びこれを用いた発光素子を安価に製造する。【解決手段】 粒径がナノメートルオーダーのシリコン微結晶粒子12又はゲルマニウム微結晶粒子がシリコン窒化物多結晶体13中にドット状に分散した発光材料10である。減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法により半導体基板16上に600〜900°Cでシリコン窒化物多結晶膜13とシリコン微結晶粒子12又はゲルマニウム微結晶粒子とを交互に堆積する。堆積後に、半導体基板16を少なくとも真空中、不活性雰囲気又は水素を含む不活性雰囲気で700〜1500°Cの温度でアニール処理することが好ましい。また半導体基板上にこの発光材料を発光層11として電極18、19を設けることにより発光素子20となる。
請求項（抜粋）：
粒径がナノメートルオーダーのシリコン微結晶粒子(12)又はゲルマニウム微結晶粒子がシリコン窒化物多結晶体(13)中にドット状に分散した発光材料。
IPC (4件)：
C09K 11/59
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, H05B 33/14
C09K 11/59
, C30B 29/38
, H01L 33/00 A
, H05B 33/14 Z
