特許
J-GLOBAL ID：200903020653837638
液晶表示素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082780
公開番号（公開出願番号）：特開平9-274203
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、広視野角特性を有する上に開口率を高くすることができ、寄生容量の問題も生じにくいとともに、製造が容易な液晶表示素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、各々配向膜を備えた第1の基板40と第2の基板39を有し、半導体層54の上にゲート電極56を設けたトップゲート構造において第1の基板40に複数の線状電極45、47を形成し、複数の線状電極間に電圧を印加できる構成とし、第1の基板40の配向膜に線状電極45、47の長手方向に平行に配向処理を施したものである。
請求項（抜粋）：
配向膜を備えた第1の基板と、第1の基板に対向して配置され、第1の基板側に配向膜が形成された第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に配置されたネマチック液晶からなる液晶層と、第1の基板上に間隔をあけて互いに平行に配置された複数の線状電極と、複数の線状電極間に電圧を印加するスイッチング素子とを具備して構成され、前記第1の基板と第2の基板の配向膜に前記線状電極の長手方向に平行な配向処理が施されるとともに、前記スイッチング素子が、第1の基板上に形成された遮光膜と、遮光膜上に形成された絶縁膜と、遮光膜上の絶縁膜上に形成された半導体層と、半導体層の中央部上方に絶縁部を介して設けられたゲート電極と、半導体層の両側に形成されたシリサイド層と、これらのシリサイド層を介して半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極とを具備して構成され、前記複数の線状電極のうち少なくとも1本は、前記第1の基板上の遮光層と同一平面上に形成され、遮光層と同一平面上の前記線状電極が遮光層を覆う絶縁膜により覆われるとともに、この絶縁膜上に前記の線状電極と異なる電位が印加される残りの線状電極が、前記スイッチング素子のドレイン電極に接続させて形成されてなることを特徴とする液晶表示素子。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1337
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/1337
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 616 T
