半導体記憶装置、その動作方法およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006069
公開番号（公開出願番号）：特開平8-185695
出願日： 1995年01月18日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】アクセス速度がSRAM並みに速く、記憶容量がDRAM並みに大きい半導体記憶装置を提供することである。【構成】 SRAMメモリセルSMCがマトリックス状に配置されたSRAMメモリセルアレイSAと、DRAMメモリセルDMCがマトリックス状に配置されたDRAMメモリセルアレイDAとを設け、それらメモリセルアレイSA,DA中のワード線WL1〜WLnを共通にした。

請求項（抜粋）：

複数の行に配置された複数のワード線と、複数の列に配置された複数の第1のビット線対と、前記ワード線と前記第1のビット線対とのいずれかの交点に対応して配置され、各々が第1のアクセス速度を有し対応するワード線および対応する第1のビット線対の少なくともいずれか一方のビット線と接続された複数の第1のメモリセルと、前記ワード線に交差して配置された少なくとも1つの第2のビット線対と、前記ワード線と前記第2のビット線対とのいずれかの交点に対応して配置され、各々が前記第1のアクセス速度よりも速い第2のアクセス速度を有し対応するワード線および対応する第2のビット線対の少なくともいずれか一方のビット線と接続された複数の第2のメモリセルとを備えた半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/401 , G11C 11/41 , H01L 27/10 371

FI (3件)：

G11C 11/34 362 C , G11C 11/34 Z , G11C 11/34 301 E

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平1-263993
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115579 出願人：シャープ株式会社
特開平1-298763

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