特許
J-GLOBAL ID:200903020703795419

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 速水 進治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-291531
公開番号(公開出願番号):特開2006-108304
出願日: 2004年10月04日
公開日(公表日): 2006年04月20日
要約:
【課題】レジスト除去、洗浄等の処理を充分な処理効率で実現する装置を提供する。【解決手段】半導体基板106を保持した状態で回転する基板載置台104と、半導体基板106の表面に供給される第一の液体を収容する第一の容器126と、半導体基板106の表面に供給される第二の液体を収容する第二の容器130と、第一の容器126および第二の容器130に連通し、これらの容器から供給された第一および第二の液体を混合して混合液を生成する混合部114と、混合部114と連通し、混合液を半導体基板106の表面に供給するノズル112と、を備える構成とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板を保持した状態で回転する基板載置台と、 前記半導体基板の表面に供給される第一の液体を収容する第一の容器と、 前記半導体基板の表面に供給される第二の液体を収容する第二の容器と、 前記第一の容器および前記第二の容器に連通し、これらの容器から供給された前記第一および第二の液体を混合して混合液を生成する混合部と、 前記混合液を前記半導体基板の表面に供給するノズルと、 前記混合部および前記ノズルと接続し、前記混合部から前記ノズルまで前記混合液を導く配管と、 前記配管を加熱する配管加熱部と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (4件):
H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/306 R
Fターム (9件):
5F043DD07 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F043EE27 ,  5F043EE31 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA10
引用特許:
出願人引用 (3件)

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