特許
J-GLOBAL ID：200903020719093872

セラミック層の製造方法

発明者：
フランク ヒンターマイヤー

フランク ヒンターマイヤー について

, 
カルロス マズレ-エスペジョ

カルロス マズレ-エスペジョ について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214657
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 基板上に少なくとも2種類の先駆物質からなる、特に強誘電性、誘電性もしくは常誘電性特性を有するセラミック層を製造する方法を提供する。【解決手段】 前記セラミック層を製造するために、先駆物質のための溶剤として専ら有機酸CnH2n+1COOH(式中、n=0,1又は2である)並びに場合により水を使用し、次いで、溶解した先駆物質を基板上に塗布し、次いで、加熱する。【効果】 無毒の溶剤及び簡単に構成された先駆物質を使用することができ、かつ基板上へのセラミック層の製造が簡単である。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも2種類の先駆物質からなるセラミック層を製造する方法において、先駆物質のための溶剤として専ら有機酸CnH2n+1COOH(式中、n=0,1又は2である)並びに場合により水を使用し、次いで、溶解した先駆物質を基板上に塗布し、次いで、加熱することにより層を製造することを特徴とする、セラミック層の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  B32B 18/00 ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 5/14 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/316
FI (6件)：
H01L 27/10 651 ,  B32B 18/00 Z ,  H01B 3/12 318 G ,  H01B 5/14 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/316 G
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Formation of SrBi2Ta2O9: Part I. Synthesis and characterization of a novel "so-gel" solution for pro

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