特許
J-GLOBAL ID：200903020731868367
電界放射型電子源およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239063
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068012
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】電子を安定して高効率で放出できる低コストの電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】強電界ドリフト部6は、導電性基板たるn形シリコン基板1の厚み方向に沿った埋込穴63が形成され高熱伝導性を有する放熱部62と、埋込穴63に充填され上記電子がドリフトするドリフト部61とからなる。放熱部62は、n形シリコン基板1の一部により構成されており、n形シリコン基板1の厚み方向に直交する断面が格子状に形成されている。ドリフト部61は、粒径がナノメータサイズの導電性微粒子と導電性微粒子の表面を覆う絶縁膜とからなる粒子の集合からなる。上記導電性微粒子として、粒径が略10nmのカーボンを採用し、上記絶縁膜としては、高分子樹脂のような有機物を採用している。
請求項（抜粋）：
導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として直流電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部は、導電性基板の厚み方向に沿った埋込穴が形成され高熱伝導性を有する放熱部と、埋込穴に充填され上記電子がドリフトするドリフト部とからなり、ドリフト部は、粒径がナノメータサイズの導電性微粒子と、導電性微粒子の表面を覆う絶縁膜とからなることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
