特許
J-GLOBAL ID：200903099691848789
電界放射型電子源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211453
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035355
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】大面積化および低コスト化が容易な電界放射型電子源を提供する。【解決手段】導電性基板1の一表面側に酸化された多孔質アモルファスシリコンよりなる強電界ドリフト部6が形成され、強電界ドリフト部6上に導電性薄膜よりなる表面電極7が形成されている。この電界放射型電子源10では、強電界ドリフト部6へ電界を印加することにより強電界ドリフト部6の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、トンネル効果によって表面電極7の表面から放出される。導電性基板1としては、無アルカリガラスなどの安価なガラス基板1aの一表面上に導電性膜2を形成したものを用いる。強電界ドリフト部6は、導電性基板1上にプラズマCVD法により堆積したアモルファスシリコン層を多孔質化し、多孔質アモルファスシリコン層を酸により酸化することによって形成している。
請求項（抜粋）：
導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部は、多孔質化されたアモルファス物質からなることを特徴とする電解放射型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 M
, H01J 9/02 M
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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