半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124028
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195494
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】低温で形成可能で界面準位の小さなゲート絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】透明絶縁基板1上に多結晶シリコン膜2を形成する。UV-O3 照射,水蒸気中での酸化,酸化性ガス雰囲気中でのRTA処理などにより、多結晶シリコン膜2上に50〜100 Å程度の極めて薄い酸化膜3を形成する。酸化膜3上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜4を形成する。酸化膜3と絶縁膜4とでゲート絶縁膜5が構成される。RTA法により、デバイスの全面に一括して光を照射する。このRTA法により、多結晶シリコン膜2と酸化膜3との界面準位の低減、絶縁膜4の膜質の改善、多結晶シリコン膜2の結晶性の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

酸化膜と絶縁膜とから成る少なくとも2層構造の絶縁膜を備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

ゲート酸化膜の形成方法および電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201193 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-043642
特開昭63-119268

全件表示

前のページに戻る