特許
J-GLOBAL ID：200903020779047110
微細パターンの形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339310
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142381
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆形成剤を被覆してパターン形成を行うパターンの微細化において、パターン寸法の制御性に優れるとともに、良好なプロフィルおよび半導体デバイスにおける要求特性を備え、さらには膜厚1.0μm程度以上の厚膜のホトレジストパターンを有する基板を用いた場合においても、良好なプロフィルの微細パターンを得ることができる、微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に、被覆形成剤を被覆する工程、熱処理により該被覆形成剤を収縮させ、その収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を、複数回に亘って行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
ホトレジストパターンを有する基板上に、被覆形成剤を被覆する工程、熱処理により該被覆形成剤を収縮させ、その収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を、複数回に亘って行うことを特徴とする、微細パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/40 511
G03F 7/40 511
, H01L 21/30 570
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096BA11
, 2H096BA20
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA04
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 5F046LA18
