固体撮像装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-365525
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170945
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】CMOSイメージセンサのフォトダイオード部において、感度向上を図るとともに、隣接画素への電荷のクロストーク(漏れ込み)を低減する。【解決手段】高濃度のP型の半導体基板(例えばシリコン基板)である基板P+層26上に、基板P+層26よりも不純物濃度が低いP型層27を形成し、P型層27の上側位置にN型光電変換領域14を設ける。これにより、P型層27で発生した光電子のうち基板方向へ拡散した電子は、基板P+層26において確実に捕捉され再結合により消滅するようにする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体からなる基板層と、該基板層上に設けられた前記第1導電型の半導体層と、前記半導体層上に設けられた、前記第1導電型とは反対導電型である第2導電型の光電変換領域と、を有し、前記基板層の不純物濃度が前記半導体層の不純物濃度よりも高い固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H01L 31/10 A

Fターム (19件)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA18 , 4M118FA06 , 4M118FA23 , 4M118FA28 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049NB03 , 5F049PA10 , 5F049QA11 , 5F049RA03 , 5F049RA08 , 5F049SS03 , 5F049UA14 , 5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-174358
特開昭51-099490
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-291363 出願人：ソニー株式会社

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