固体撮像装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291363
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299453
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 MOS型、C-MOS型の固体撮像装置において、暗電流の低減、光電変換効率の向上を図る。【解決手段】選択酸化による素子分離層34により画素分離されたpn接合型のセンサ部113を有し、第1導電型の第1の半導体ウエル領域32と素子分離層34との間に第1導電型の第2の半導体ウエル領域351が形成され、センサ部の電荷蓄積領域36と素子分離層34との間に第2の半導体ウエル領域351が延長して形成されて成る。

請求項（抜粋）：

素子分離層により画素分離れたpn接合型のセンサ部を有し、第1導電型の第1の半導体ウエル領域と前記素子分離層との間に第1導電型の第2の半導体ウエル領域が形成され、動作時に前記センサ部の空乏層が該センサ部下の前記第1の半導体ウエル領域まで広がることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E , H04N 5/335 U

Fターム (16件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118EA15 , 4M118FA06 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 5C024AA01 , 5C024FA01 , 5C024GA01 , 5C024GA27 , 5C024GA31 , 5C024JA26

引用特許：

審査官引用 (7件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-248362 出願人：株式会社東芝
固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203817 出願人：株式会社東芝
特開平1-248658

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