特許

J-GLOBAL ID：200903020845259530

半導体記憶装置

発明者： 遠藤 哲哉 ,  望月 裕彦 ,  児玉 幸徳 ,  竹前 義博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337220
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201172
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 メモリ外部から簡単な制御で複数のバンクを高速にリフレッシュできる機能を有する半導体記憶装置を提供する。【構成】 外部からの制御信号を受け取り、リフレッシュ信号(REFR)を出力する第1の手段(30)と、前記リフレッシュ信号に応答して前記複数のバンクを選択するためのバンク選択信号(BS0〜BS3)を生成する第2の手段(32)と、前記バンク選択信号を受けて、前記複数のバンクにそれぞれ設けられた前記センスアンプを駆動するラッチイネーブル信号(LE0〜LE3)を生成する第3の手段(34)とを有し、前記センスアンプを前記ラッチイネーブル信号で駆動して、メモリセルアレイのリフレッシュ動作を行う構成である。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイ及びセンスアンプ(66、70、74、78)を含む複数のバンク(#0〜#3)と、データの入出力回路及びアドレス回路とを有する、半導体記憶装置において、外部からの制御信号を受け取り、リフレッシュ信号(REFR)を出力する第1の手段(30)と、前記リフレッシュ信号に応答して前記複数のバンクを選択するためのバンクの数に応じた複数のバンク選択信号(BS0〜BS3)を生成する第2の手段(32)と、前記バンク選択信号を受けて、前記複数のバンクにそれぞれ設けられた前記センスアンプを駆動するラッチイネーブル信号(LE0〜LE3)を生成する第3の手段(34)とを有し、前記センスアンプを前記ラッチイネーブル信号で駆動して、メモリセルアレイのリフレッシュ動作を行うことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-085220   出願人：株式会社東芝
• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248359   出願人：三星電子株式会社