酸化膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323601
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162970
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】不完全燃焼した水素ガスによる爆鳴気反応が生じることを確実に防止でき、しかも、酸化膜の形成を、安定した状態で、且つ、酸化速度を制御・抑制した状態にて行うことを可能とする酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の形成方法は、(イ)水蒸気発生装置に水素ガスを含む不活性ガスを導入する工程と、(ロ)その後、酸化性ガスを該水蒸気発生装置に導入し、該水蒸気発生装置内での水素ガスと酸化性ガスとの反応によって発生した水蒸気により半導体層の表面を酸化し、以て半導体層表面に酸化膜を形成する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)水蒸気発生装置に水素ガスを含む不活性ガスを導入する工程と、(ロ)その後、酸化性ガスを該水蒸気発生装置に導入し、該水蒸気発生装置内での水素ガスと酸化性ガスとの反応によって発生した水蒸気により半導体層の表面を酸化し、以て半導体層表面に酸化膜を形成する工程、から成ることを特徴とする酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/31 E , H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-306905 出願人：大見忠弘
半導体基板の酸化方法及び酸化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-037779 出願人：ソニー株式会社
熱酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-196099 出願人：日本真空技術株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

ウルトラクリーンULSI技術
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