特許
J-GLOBAL ID：200903020892203691

光導波路装置及びその製造方法

発明者：
西沢 元亨

西沢 元亨 について

, 
石井 雅俊

石井 雅俊 について

, 
加藤 雅之

加藤 雅之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-377133
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177262
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 MgO基板上にPLZT、PZT等のペロブスカイト酸化物よりなる光導波路層を破損することなく形成し得る光導波路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 MgO基板10と、MgO基板10上に形成され、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層18を有するスラブ導波路層24とを有する光導波路装置であって、MgO基板10とスラブ導波路層24との間に形成され、MgO基板10及びスラブ導波路層24とほぼ格子整合し、室温から700°Cまでの平均熱膨張係数が8.0×10-6〜13.0×10-6/°Cの範囲内である応力緩和層12を更に有する。
請求項（抜粋）：
酸化マグネシウム基板と、前記酸化マグネシウム基板上に形成され、強誘電体又は反強誘電体よりなるコア層を有する光導波路層とを有する光導波路装置であって、前記酸化マグネシウム基板と前記光導波路層との間に形成され、前記酸化マグネシウム基板及び前記光導波路層とほぼ格子整合し、室温から700°Cまでの平均熱膨張係数が8.0×10-6〜13.0×10-6/°Cの範囲内である応力緩和層を更に有することを特徴とする光導波路装置。
IPC (4件)：
G02B 6/122 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/295
FI (4件)：
G02F 1/295 ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N
Fターム (21件)：
2H047KA02 ,  2H047LA09 ,  2H047PA02 ,  2H047PA04 ,  2H047PA05 ,  2H047PA11 ,  2H047QA01 ,  2H047RA08 ,  2H047TA18 ,  2H047TA41 ,  2K002AA02 ,  2K002AB06 ,  2K002BA06 ,  2K002CA02 ,  2K002DA05 ,  2K002DA09 ,  2K002EA08 ,  2K002EB09 ,  2K002FA07 ,  2K002FA08 ,  2K002HA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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