特許

J-GLOBAL ID：200903020901104766

薄膜電子部品

発明者： 高藤 潤哉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158225
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347157
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】保護層が剥離したり、クラックが発生することがなく、耐湿性に優れた薄膜電子部品を提供する。【解決手段】支持基板1と、支持基板1上に設けられ、電極層5、7と誘電体層3とを有する薄膜素子Aと、前記電極層5、7と電気的に接続する端子電極18と、該薄膜素子Aを被覆する第1保護層13と、該第1保護層13を被覆する第2保護層14を具備する薄膜電子部品であって、第1保護層13の熱膨張係数を、第2保護層のそれよりも小さくした。

請求項（抜粋）：

支持基板上に、下部電極層、誘電体層及び上部電極層を順次積層した薄膜素子と、前記電極層と電気的に接続する端子電極と、該端子電極を露出するように薄膜素子を被覆する第1保護層及び該第1保護層を被覆する第2保護層とから成る薄膜電子部品であって、前記第1保護層の熱膨張係数が1.0×10-7°C-1以上、1.0×10-5°C-1未満、第2保護層の熱膨張係数が1.0×10-5°C-1以上、1.0×10-3°C-1未満としたことを特徴とする薄膜電子部品。

Fターム (8件)：

5E082AA01 ,  5E082AB01 ,  5E082BB07 ,  5E082BC32 ,  5E082BC33 ,  5E082FF05 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-121374   出願人：東レ株式会社
• 薄膜電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-366682   出願人：京セラ株式会社