特許

J-GLOBAL ID：200903020902983232

半導体装置とその製造方法

発明者： 曽川 禎道 ,  山崎 隆雄 ,  枦山 一郎 ,  北城 栄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384618
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188209
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】半導体チップと回路基板の熱膨張率差に起因する熱応力による接続信頼性の低下を抑制し、さらには高密度実装を実現するのに適した半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】微細加工を施した加工基板とパターニング技術により、形状を制御した微小な導電性接続部を形成し、これを用いて半導体チップと回路基板とを接続をする。半導体装置は、半導体チップの電極パッドが少なくとも2つ以上の屈曲部、湾曲部を有する導電性接続部を介して回路基板の電極パッドに接続し、かつ両者の間に絶縁性封止部が封入された構造となっている。この半導体装置では、熱応力が加わったときに導電性接続部分、及び絶縁性封止部分が変形することによって熱応力を緩和し接続信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

表面に所定の凹凸を有する加工基板を作製し、該加工基板の前記表面上に前記凹凸に沿って所定の形状の導電性接続部を金属膜により形成し、前記導電性接続部の一端を一方の電極部に接続させ、該導電性接続部から前記加工基板を除去した後、前記導電性接続部の他端を他方の電極部に接続させ、前記一方の電極部と前記他方の電極部とを前記導電性接続部により接続させたことを特徴とする電極間の接続方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 E

Fターム (4件)：

5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044LL13 ,  5F044NN07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バンプ構造体及びバンプ構造体形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305334   出願人：日本電気株式会社
• 犠牲基板を用いた相互接続部及び先端の製造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-535947   出願人：フォームファクター,インコーポレイテッド