特許

J-GLOBAL ID：200903020916436617

半導体装置

発明者： 池田 良成 ,  山下 満男
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320322
公開番号（公開出願番号）：特開2006-134990
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】積層構造を採用するパッケージにおいてパッケージの上下面からの放熱を効率良く行うことを課題とする。【解決手段】第1の導体基板と第2の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接触させて第1の並列接続回路を構成し、第2の導体基板と第3の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接触させて第2の並列接続回路を構成し、第1の並列接続回路と第2の並列接続回路とを、前記第2の導体基板を介して直列接続して樹脂封止し、封止樹脂の収縮圧力により、パワー半導体スイッチ素子ならびにダイオードと各導体基板間を接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導体基板と第2の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接触させてなる第1の並列接続回路と、 第2の導体基板と第3の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接触させてなる第2の並列接続回路と、 第1の並列接続回路と第2の並列接続回路とを、前記第2の導体基板を介して直列接続してなる直列接続回路と、 前記第1,第3の導体基板に挟まれた領域であって前記パワー半導体素子ならびにダイオードが配置された部分を封止する封止樹脂と、からなり、 前記第1,第3の導体基板を直流入力端子とし、該第2の導体基板を出力端子としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L21/52 J ,  H01L25/04 C

Fターム (7件)：

5F047JA02 ,  5F047JA04 ,  5F047JA10 ,  5F047JA20 ,  5F047JB02 ,  5F047JB04 ,  5F047JB10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019995   出願人：富士電機株式会社
• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-176367   出願人：株式会社安川電機
• パワー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-205099   出願人：三菱電機株式会社
• 特許第4438489号
  

審査官引用 (2件)

• パワー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-205099   出願人：三菱電機株式会社
• 特許第4438489号