特許

J-GLOBAL ID：200903020923154007

半導体装置の製造方法

発明者： 三輪 和弘 ,  片岡 英之
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055410
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244247
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置構成及び工程によって、高いエッチング選択比で非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングする。【解決手段】 エッチング反応室1の内壁にシリコンを含有した薄膜2を被着した状態で、酸化膜3上に堆積させた非単結晶シリコン薄膜4をプラズマエッチングする。

請求項（抜粋）：

エッチング反応室の内壁にシリコンを含有した薄膜を被着した状態で、酸化膜上に堆積させた非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 J

Fターム (19件)：

5F004AA05 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB30 ,  5F004CA04 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB30 ,  5F004EA21 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-027497   出願人：ソニー株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241267   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-027497   出願人：ソニー株式会社