特許
J-GLOBAL ID：200903020934546870

銅被膜の選択形成方法

発明者：
大宮 可容子

大宮 可容子 について

, 
鈴木 啓之

鈴木 啓之 について

, 
山田 啓作

山田 啓作 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196205
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023986
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 金属、絶縁材料等の任意の材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して原料コストの低減等を達成することが可能な銅被膜の選択形成方法を提供しようとものである。【解決手段】 基板上の下地膜表面の銅被膜形成予定領域に銅以外の材料からなり、前記下地膜に比べてより導電性の高い導電体パターンを形成する工程と、銅のCVDを行なって、前記導電体パターンに銅被膜を選択的に堆積する工程とを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上の下地膜表面の銅被膜形成予定領域に銅以外の材料からなり、前記下地膜に比べてより導電性の高い導電体パターンを形成する工程と、銅のCVDを行なって、前記導電体パターンに銅被膜を選択的に堆積する工程とを具備したことを特徴とする銅被膜の選択形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/88 B ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 616 K
Fターム (97件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA30 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA06 ,  4K030DA04 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030HA02 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033PP01 ,  5F033PP07 ,  5F033PP08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL26 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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