特許
J-GLOBAL ID:200903020939562288

コイル内蔵基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-041988
公開番号(公開出願番号):特開2008-205353
出願日: 2007年02月22日
公開日(公表日): 2008年09月04日
要約:
【課題】 平面コイル導体で発生した熱に起因して搭載されるICが誤動作することなく、平面コイル導体に大電流を流すことができるコイル内蔵基板を提供すること。 【解決手段】 配線層6が形成された一対の絶縁層1・1およびこの一対の絶縁層1・1に挟持されたフェライト磁性体層2からなる基板と、フェライト磁性体層2内に形成された平面コイル導体3とを具備するコイル内蔵基板であって、平面コイル導体3に接続され、フェライト磁性体層2から基板の主面にかけてフェライト磁性体層2および絶縁層1を貫通する、フェライト磁性体層2および絶縁層1より熱伝導率の大きい伝熱用貫通絶縁体4が形成され、基板の主面に伝熱用貫通絶縁体4が接続された放熱用導体層5が形成されていることを特徴とするコイル内蔵基板である。平面コイル導体3において発生した熱を伝熱用貫通絶縁体4を介して放熱用導体層5から外部へ放熱することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
配線層が形成された一対の絶縁層および該一対の絶縁層に挟持されたフェライト磁性体層からなる基板と、前記フェライト磁性体層内に形成された平面コイル導体とを具備するコイル内蔵基板であって、前記平面コイル導体に接続され、前記フェライト磁性体層から前記基板の主面にかけて前記フェライト磁性体層および前記絶縁層を貫通する、前記フェライト磁性体層および前記絶縁層より熱伝導率の大きい伝熱用貫通絶縁体が形成され、前記基板の前記主面に前記伝熱用貫通絶縁体が接続された放熱用導体層が形成されていることを特徴とするコイル内蔵基板。
IPC (2件):
H01F 27/08 ,  H01F 17/00
FI (2件):
H01F15/06 ,  H01F17/00 D
Fターム (6件):
5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070BA12 ,  5E070BB01 ,  5E070CB13 ,  5E070DA18
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • LCフィルタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-200496   出願人:株式会社住友金属セラミックス
  • 低温焼成多層セラミック回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-200497   出願人:株式会社住友金属セラミックス
審査官引用 (7件)
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