特許
J-GLOBAL ID：200903009451649151

コイル内蔵基板

発明者：
三倉 勉

三倉 勉 について

, 
池田 光太

池田 光太 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-045021
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310777
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】コイル内蔵基板の内蔵コイルの重畳特性を向上させると共に、上面や下面に搭載された半導体チップやチップ部品に対するコイル用導体から発生する磁力線の影響を大幅に抑制することができるコイル内蔵セラミック基板を提供すること。【解決手段】本発明のコイル内蔵基板は、間に平面スパイラルコイル4が埋設されている、第1のフェライト層2および第2のフェライト層3を、一対の絶縁層1で挟持してなるコイル内蔵基板において、平面スパイラルコイル4のコイル導体間に第1のフェライト層2および第2のフェライト層3より透磁率の小さい第3のフェライト層を形成することで成る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1および第2のフェライト層と、該第1および第2のフェライト層間に形成された平面スパイラルコイルと、該平面スパイラルコイルのコイル導体間に形成され、前記第1および第2のフェライト層より透磁率の小さい第3のフェライト層と、前記第1のフェライト層の外層および前記第2のフェライト層の外層に設けられた絶縁層とを備えていることを特徴とするコイル内蔵基板。
IPC (7件)：
H05K 3/46 ,  H01F 17/00 ,  H01F 17/04 ,  H01F 27/32 ,  H01F 1/34 ,  H05K 1/16 ,  H01L 23/12
FI (11件)：
H05K3/46 Q ,  H01F17/00 B ,  H01F17/04 F ,  H01F27/32 C ,  H01F1/34 A ,  H05K3/46 Z ,  H05K3/46 S ,  H05K3/46 H ,  H05K1/16 B ,  H05K3/46 T ,  H01L23/12 B
Fターム (60件)：
4E351AA06 ,  4E351AA07 ,  4E351BB11 ,  4E351BB15 ,  4E351BB22 ,  4E351BB24 ,  4E351BB26 ,  4E351BB31 ,  4E351BB42 ,  4E351BB43 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD20 ,  4E351DD22 ,  4E351DD33 ,  4E351DD50 ,  4E351DD52 ,  4E351EE10 ,  4E351GG06 ,  5E041AB01 ,  5E041AB03 ,  5E041BD01 ,  5E041CA02 ,  5E041NN01 ,  5E044CA03 ,  5E044DA03 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070BA12 ,  5E070CB02 ,  5E070CB12 ,  5E070CB17 ,  5E070DA17 ,  5E346AA11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA21 ,  5E346AA35 ,  5E346BB01 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346BB11 ,  5E346BB20 ,  5E346CC16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD03 ,  5E346DD34 ,  5E346EE21 ,  5E346FF45 ,  5E346GG03 ,  5E346GG07 ,  5E346GG08 ,  5E346HH01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (13件)
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