特許
J-GLOBAL ID:200903020961876210

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-096166
公開番号(公開出願番号):特開2000-294727
出願日: 1999年04月02日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】過剰な加圧力や偏加圧を緩和できる加圧接触構造の半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体チップ4の一方の主面は、コレクタ電極3に、はんだ12を介して固着され、他方の主面には、図示しないエミッタ電極とゲート電極が形成され、半導体チップ4は平型パッケージに複数個収納される。平型パッケージはエミッタ共通電極板1とコレクタ共通電極板2および周辺部に配置される図示しない絶縁ケースで構成され、半導体チップ4とエミッタ共通電極板の間には導電・加圧・冷却の働きをするコンタクト端子体5が配置され、半導体チップ4の投影箇所以外の箇所に絶縁材7を半導体チップ4の各コーナーに配置して、半導体チップ4にかかる過加圧力や偏加圧力を緩和する。
請求項(抜粋):
第1の主面に第1の主電極と制御電極、第2の主面に第2の主電極を有する半導体チップを複数個並置し、平型パッケージに組み込んだ半導体装置で、両面に露出する一対の共通電極板と、両共通電極板の間で挟まれた絶縁ケースからなる平型パッケージに対し、一方の共通電極板上に第2の主電極を重ね合わせて、前記半導体チップを配置し、他方の共通電極板と前記半導体チップの第1の主電極との間に加圧、導電、放熱を兼ね備えたコンタクト端子体を具備した加圧接触型の半導体装置において、両共通電極板の間に絶縁材を配置し、少なくとも半導体チップが加圧される状態で、前記共通電極板で、前記絶縁材が加圧されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/52
FI (2件):
H01L 25/04 C ,  H01L 21/52 J
Fターム (2件):
5F047BA06 ,  5F047JA02
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 圧接型半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-069820   出願人:三菱電機株式会社
  • 半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-184958   出願人:富士電機株式会社

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