特許
J-GLOBAL ID：200903020962109604

不揮発性半導体メモリの読み出し動作方法および不揮発性半導体メモリ

発明者：
飯島 光輝

飯島 光輝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050124
公開番号（公開出願番号）：特開2002-251893
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 配線幅の異なる複数のワード線を有する不揮発性半導体メモリのメモリセルに保持されているデータを確実に読み出すことを目的とする。【解決手段】 データの読み出し時にメモリセルに流れるメモリセル電流が、このメモリセルに接続されたワード線の配線幅に応じて設定される基準電流と比較される。メモリセル電流が基準電流より大きいか小さいかにより、メモリセルに保持されているデータの論理レベルが検出される。ワード線の配線幅毎に複数の基準電流を設定することで、ゲート幅の異なるメモリセル毎に、基準電流を最適な値に設定できる。メモリセルの特性毎に基準電流が設定されるため、読み出しマージンが向上し、読み出し動作時の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
配線幅が互いに異なる複数のワード線にそれぞれ接続された不揮発性のメモリセルに保持されたデータを読み出す不揮発性半導体メモリの読み出し動作方法であって、前記データの読み出し時に前記メモリセルに流れるメモリセル電流を、該メモリセルに接続された前記ワード線の配線幅に応じた基準電流と比較し、前記メモリセルに保持されているデータの論理レベルを検出することを特徴とする不揮発性半導体メモリの読み出し動作方法。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02
FI (3件)：
G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 622 Z ,  G11C 17/00 641
Fターム (9件)：
5B025AA03 ,  5B025AA07 ,  5B025AB01 ,  5B025AB03 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD07 ,  5B025AD09 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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