半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123516
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315652
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】レーザ光の照射領域を重ね合わせて大面積の半導体薄膜を結晶化する際、重ね合わせ部と非重ね合わせ部とで結晶性を均一化する。【解決手段】基板1の表面を分割線DLに沿って区画し第一分割領域D1及び第二分割領域D2を規定する一方、レーザ光を整形して各分割領域D1,D2を部分的に照射できる様にレーザ光の照射領域Rを調整する。第一分割領域D1に対して照射領域Rを分割線DLと平行な方向に走査しながら繰り返しレーザ光を照射して第一分割領域D1に含まれる半導体薄膜2を結晶化する。同様にして、第二分割領域D2に含まれる半導体薄膜2を結晶化する。この際、第一分割領域D1に照射されたレーザ光の照射領域Rと第二分割領域D2に照射されたレーザ光の分割領域Rは互いに端部で重なり合っている。重なり部Wは分割線DLと平行な幅寸法WXが、非重なり部Vの幅寸法VXに比べ80%以下に調整されている。あるいは、重なり部Wのレーザ光エネルギー強度EWが非重なり部Vのエネルギー密度EVに比べ95%以下に制御されている。

請求項（抜粋）：

予め基板に成膜された半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化を行なう為、基板の表面を領域分割して少なくとも第一及び第二の分割領域を規定する一方、レーザ光を整形して少なくとも各分割領域を部分的に照射できる様にレーザ光の照射領域を調整する準備工程と、第一の分割領域に対して一回以上レーザ光を照射して該第一の分割領域に含まれる半導体薄膜を結晶化する第一照射工程と、第二の分割領域に対して一回以上レーザ光を照射して該第二の分割領域に含まれる半導体薄膜を結晶化する第二照射工程とを含む半導体薄膜の結晶化方法において、第一の分割領域に照射されたレーザ光の照射領域と第二の分割領域に照射されたレーザ光の照射領域は互いに端部で重なり合っており、照射領域内で重なりの生じる端部の少なくとも片側におけるレーザ光のエネルギー密度が、重なりの生じない部分のレーザ光のエネルギー密度に比べ95%以下に制御されていることを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G

Fターム (53件)：

5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA04 , 5F052BA12 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052HA01 , 5F052HA06 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP35 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-298905 出願人：株式会社金星社
多結晶半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-033739 出願人：株式会社ジーティシー
半導体薄膜形成方法及びレ-ザ照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-012499 出願人：ソニー株式会社

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