特許
J-GLOBAL ID：200903020999691354
単結晶シリコンの結晶方位の測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-190705
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 ミラー面の有無に係わらず、しかも従来技術に比し正確に結晶方位を特定できる結晶方位の測定方法を提供する。【解決手段】 単結晶インゴットを360°回転させ、X線回折光強度に4か所の(220)面ピーク値X1〜X4が、約90°ごとにあることを低閾値により確認して〈100〉軸を照合する。さらに単結晶インゴットを360°回転させ、4か所の(220)面ピーク値X1〜X4のうち、(220)面ピーク値X1、X2のみが高閾値に達していることを確認して、4°オフセットであることを照合する。さらに単結晶インゴットを回転させ、再び得られた高閾値に達する(220)面ピーク値X1、X2のうち、後者の(220)面ピーク値X2を選定し、高閾値である(220)面ピーク値X2の回転角度の中心をノッチ形成位置Nとして特定する。
請求項（抜粋）：
結晶方位の基準軸に対して、ある傾斜角度をもって引き上げられた単結晶シリコンから、該傾斜角度を考慮した所定の切断面を得るために、前記結晶方位を測定する方法において、前記単結晶シリコンの外周面成形加工をした後に、前記単結晶シリコンの形状上の中心軸を中心とした放射方向について、該形状中心軸まわりに少なくとも360°のX線回折光強度を測定することにより、該X線回折光強度のピーク値の強弱を判別して前記結晶方位を特定することを特徴とする結晶方位の測定方法。
IPC (2件)：
G01N 23/20
, C30B 29/06 502
G01N 23/20
, C30B 29/06 502 Z
