特許
J-GLOBAL ID：200903021039819344
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271167
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083801
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 温度差によるエッチングレートの部分的な変化を防止することができる半導体製造装置の提供を目的とする。【解決手段】 上面にウェハ16を載置する下部電極10におけるウェハ16が載置されるウェハ載置面10Aを同心円上の凹形状とし、該凹形状にウェハ16を載置する。また、下部電極10の最外周部分(ウェハ際置面10Aよりも外周位置)に、下部電極10を下部ユニット12に固定するためのネジ用の貫通孔10Bを4ヶ所設け、該貫通孔10Bに下部電極固定ネジ18を螺合することによって、下部電極10を下部ユニット12に固定する。また、ウェハ搬送上下ピン26は、4本設けてそれぞれをピン径の小さいものを用いる。
請求項（抜粋）：
ウェハに所定の処理を施すための通電を行うと共に、ウェハを載置するための下部電極と、前記下部電極のウェハ載置面外に設けられ、前記下部電極を固定する固定手段と、前記下部電極のウェハ載置面内に設けられ、ウェハを前記下部電極に対して移動させると共に、ウェハ当接面がピン形状とされたウェハ搬送手段と、を備えた半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/68
H01L 21/68 R
, H01L 21/302 B
5F004AA01
, 5F004BB18
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BC06
, 5F004CA04
, 5F031CA02
, 5F031HA07
, 5F031HA17
, 5F031HA33
, 5F031HA37
, 5F031HA38
, 5F031MA32
