特許

J-GLOBAL ID：200903021052985873

シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品

発明者： 桜井 治彰 ,  榎本 和宏 ,  野部 茂 ,  成田 武憲 ,  寺田 信子 ,  森嶋 浩之
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274120
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098224
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】 デザインルールが0.15μmより微細化される半導体素子においても十分な動作性能が発揮できる層間絶縁膜として適用可能なシリカ系被膜、デザインルールが0.15μmより微細化される半導体素子においても十分な動作性能が発揮できるLSI等の半導体装置や多層配線板の層間絶縁膜として適用可能なシリカ系被膜を歩留まりよく簡便に得ることができるシリカ系被膜の形成方法及び前記のシリカ系被膜を有してなる信号遅延の少ない、高品位、高信頼性のLSI等の半導体装置、多層配線板などの電子部品を提供する。【解決手段】 膜の密度が1.5(g/cm3)以下であるシリカ系被膜、(a)空隙形成材及び(b)シロキサンオリゴマーが(c)有機溶剤に均一に溶解してなる組成物を基材に塗布し、空隙形成材とシロキサンオリゴマーが均一に相溶した複合膜を形成した後、シロキサンオリゴマーの縮合反応と空隙形成材の除去を行うことを特徴とする膜の密度が1.5(g/cm3)以下であるシリカ系被膜の形成方法並びに前記のシリカ系被膜を有する電子部品。

請求項（抜粋）：

膜の密度が1.5(g/cm3)以下であるシリカ系被膜。

IPC (13件)：

C09D201/00 ,  B05D 7/24 302 ,  C08G 77/04 ,  C08J 9/26 CFH ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83/04 ,  C08L101/00 ,  C09D133/06 ,  C09D183/02 ,  C09D183/06 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (14件)：

C09D201/00 ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08G 77/04 ,  C08J 9/26 CFH ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83/04 ,  C08L101/00 ,  C09D133/06 ,  C09D183/02 ,  C09D183/06 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

Fターム (72件)：

4D075BB21X ,  4D075BB93X ,  4D075CA23 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EB22 ,  4D075EB42 ,  4D075EB45 ,  4D075EC30 ,  4F074AA38 ,  4F074AA47 ,  4F074AA65 ,  4F074AA74 ,  4F074AA76 ,  4F074AA90 ,  4F074CB06 ,  4F074CB17 ,  4F074CC12Y ,  4F074CC32Y ,  4F074DA02 ,  4F074DA47 ,  4J002BD14X ,  4J002BG03X ,  4J002CF00X ,  4J002CH00X ,  4J002CM04X ,  4J002CP03W ,  4J035CA01K ,  4J035LA03 ,  4J035LB20 ,  4J038CG142 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038KA02 ,  4J038KA06 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038MA12 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033VV16 ,  5F033VV17 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033XX23 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AC10 ,  5F058AD05 ,  5F058AD07 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発泡ポリマーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086236   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-177695   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-177703   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-274121   出願人：日立化成工業株式会社